Se utilizará un diodo de descarga de energía de alta intensidad para la transmisión de la señal.
Datos del producto:
Lugar de origen: | China. |
Certificación: | ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949 |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 3,000 piezas |
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Precio: | Negotiable |
Tiempo de entrega: | Tiempo de entrega en temporada alta: un mes Tiempo de entrega fuera de temporada: dentro de los 15 d |
Condiciones de pago: | LC, T/T, PayPal |
Capacidad de la fuente: | 10000000000 piezas/año |
Información detallada |
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Modelo no.: | Se aplicará la siguiente regla: | Estructura: | De aleación |
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El material: | el silicio | Válvula de tensión: | Entre 20 y 250 V |
En la actualidad: | 5A | VF: | Es el 055-0.95 |
Paquete de transporte: | BOBINA | Especificación: | Baja VF hacia adelante |
Marca registrada: | JF | Origen: | China. |
Código del SH: | 85411000 | Capacidad de la fuente: | 10000000000 piezas/año |
Tamaño del paquete: | 5.58cm * 1.48cm * 0.38cm | Peso bruto del paquete: | 0.002kg |
Descripción de producto
Diodos rectificadores de barrera escocesa
Componente electrónico
Número de la pieza: SS52F THRU SS525F
Parámetro principal:
El tipo | El VRRM | Si | IR25oC) | IR100oC) | IR (¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡oC) | VF | HBM | Tj | Esquema |
V. | A. No | UA | - ¿Qué es? | - ¿Qué es? | V. | KV | oC | ||
Sección 52F | 20 | 5 | 100 | 5 | 0.55 | 8 | 150 | FASM | |
Las condiciones de los requisitos de seguridad | 40 | 5 | 100 | 5 | 0.55 | 8 | 150 | ||
Las condiciones de los requisitos de seguridad | 60 | 5 | 100 | 5 | 0.70 | 8 | 150 | ||
Se trata de las siguientes: | 100 | 5 | 20 | 3 | 0.85 | 8 | 150 | ||
Se trata de las siguientes: | 150 | 5 | 20 | 3 | 0.90 | 8 | 150 | ||
Se aplicará la siguiente regla: | 200 | 5 | 20 | 3 | 0.95 | 8 | 150 | ||
Se trata de las siguientes categorías: | 250 | 5 | 20 | 3 | 0.95 | 8 | 150 |
Marca:JF, el Sr.
Envase:FASM
El fabricante:Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd. y sus subsidiarias
Características:
· Conexión de silicio metálico, conducción mayoritaria del portador
· Anillo de protección para la protección contra la sobre tensión
· Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
· Alta capacidad de sobretensiones, baja caída de voltaje hacia adelante
· contorno del montaje de la superficie
Aplicación:
Se utiliza en el campo de la energía, la iluminación, el automóvil y los electrodomésticos




