• Se utilizará un diodo de descarga de energía de alta intensidad para la transmisión de la señal.
  • Se utilizará un diodo de descarga de energía de alta intensidad para la transmisión de la señal.
  • Se utilizará un diodo de descarga de energía de alta intensidad para la transmisión de la señal.
  • Se utilizará un diodo de descarga de energía de alta intensidad para la transmisión de la señal.
  • Se utilizará un diodo de descarga de energía de alta intensidad para la transmisión de la señal.
  • Se utilizará un diodo de descarga de energía de alta intensidad para la transmisión de la señal.
Se utilizará un diodo de descarga de energía de alta intensidad para la transmisión de la señal.

Se utilizará un diodo de descarga de energía de alta intensidad para la transmisión de la señal.

Datos del producto:

Lugar de origen: China.
Certificación: ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 3,000 piezas
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Tiempo de entrega en temporada alta: un mes Tiempo de entrega fuera de temporada: dentro de los 15 d
Condiciones de pago: LC, T/T, PayPal
Capacidad de la fuente: 10000000000 piezas/año
Mejor precio Contacto

Información detallada

Modelo no.: Se aplicará la siguiente regla: Estructura: De aleación
El material: el silicio Válvula de tensión: Entre 20 y 250 V
En la actualidad: 5A VF: Es el 055-0.95
Paquete de transporte: BOBINA Especificación: Baja VF hacia adelante
Marca registrada: JF Origen: China.
Código del SH: 85411000 Capacidad de la fuente: 10000000000 piezas/año
Tamaño del paquete: 5.58cm * 1.48cm * 0.38cm Peso bruto del paquete: 0.002kg

Descripción de producto

 
Descripción del producto

 

Diodos rectificadores de barrera escocesa
Componente electrónico

Número de la pieza: SS52F THRU SS525F
Parámetro principal:

El tipo El VRRM Si IR25oC) IR100oC) IR (¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡oC) VF HBM Tj Esquema
V. A. No UA - ¿Qué es? - ¿Qué es? V. KV oC
Sección 52F 20 5 100 5   0.55 8 150 FASM
Las condiciones de los requisitos de seguridad 40 5 100 5   0.55 8 150
Las condiciones de los requisitos de seguridad 60 5 100 5   0.70 8 150
Se trata de las siguientes: 100 5 20   3 0.85 8 150
Se trata de las siguientes: 150 5 20   3 0.90 8 150
Se aplicará la siguiente regla: 200 5 20   3 0.95 8 150
Se trata de las siguientes categorías: 250 5 20   3 0.95 8 150

Marca:JF, el Sr.

Envase:FASM
El fabricante:Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd. y sus subsidiarias

Características:

· Conexión de silicio metálico, conducción mayoritaria del portador

· Anillo de protección para la protección contra la sobre tensión

· Baja pérdida de potencia, alta eficiencia

· Alta capacidad de sobretensiones, baja caída de voltaje hacia adelante
· contorno del montaje de la superficie

Aplicación: 
Se utiliza en el campo de la energía, la iluminación, el automóvil y los electrodomésticos

Parámetros del producto

SS52F/SS54F/SS56F/SS510F/SS515F/SS520F/SS525F SCHOTTKY DIODE WITH SMAF PACKAGE






SS52F/SS54F/SS56F/SS510F/SS515F/SS520F/SS525F SCHOTTKY DIODE WITH SMAF PACKAGE
SS52F/SS54F/SS56F/SS510F/SS515F/SS520F/SS525F SCHOTTKY DIODE WITH SMAF PACKAGE

SS52F/SS54F/SS56F/SS510F/SS515F/SS520F/SS525F SCHOTTKY DIODE WITH SMAF PACKAGESS52F/SS54F/SS56F/SS510F/SS515F/SS520F/SS525F SCHOTTKY DIODE WITH SMAF PACKAGESS52F/SS54F/SS56F/SS510F/SS515F/SS520F/SS525F SCHOTTKY DIODE WITH SMAF PACKAGE
SS52F/SS54F/SS56F/SS510F/SS515F/SS520F/SS525F SCHOTTKY DIODE WITH SMAF PACKAGE
SS52F/SS54F/SS56F/SS510F/SS515F/SS520F/SS525F SCHOTTKY DIODE WITH SMAF PACKAGE

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. Se utilizará un diodo de descarga de energía de alta intensidad para la transmisión de la señal. ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
Esperando su respuesta.