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Diodo de barrera Schottky de 200 V SR1200 1A en estructura de aleación para componentes electrónicos
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China. |
| Certificación: | ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 3,000 piezas |
|---|---|
| Precio: | Negotiable |
| Tiempo de entrega: | Tiempo de entrega en temporada alta: un mes Tiempo de entrega fuera de temporada: dentro de los 15 d |
| Condiciones de pago: | LC, T/T, PayPal |
| Capacidad de la fuente: | 10000000000 piezas/año |
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Información detallada |
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| Modelo no.: | Se trata de la SR1200. | Estructura: | De aleación |
|---|---|---|---|
| El material: | el silicio | Paquete de transporte: | Caja de municiones |
| Especificación: | A través del agujero | Marca registrada: | JF, JH. |
| Origen: | China. | Código del SH: | 85411000 |
| Capacidad de la fuente: | 10000000000 piezas/año | ||
Descripción de producto
Diodos rectificadores de barrera escocesa
Hecho en China JF marca
Componente electrónico
Número de la parte: SR1200 (SB1200)
Parámetro principal:
| Tipo de producto | El VRRM | Si | IR ((25oC) | VF | HBM | Tj | Esquema |
| V. | A. No | UA | V. | KV | oC | ||
| Se trata de la SR1200. | 200 | 1 | 20 | 0.95 | 8 | 150 | El DO-41 |
Envase:DO-41 a través de plástico agujero
El fabricante:Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd. y sus subsidiarias
Características:
· Conexión de silicio metálico, conducción mayoritaria del portador
· Anillo de protección para la protección contra la sobre tensión
Aplicación:
Se utiliza en el campo de la energía, la iluminación, el automóvil y los electrodomésticos
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