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8.000kg Peso bruto SC2065 20A/650V Diodo de carburo de silicio SiC Schottky para el paquete 220AC
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China. |
| Certificación: | ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 3,000 piezas |
|---|---|
| Precio: | Negotiable |
| Tiempo de entrega: | Tiempo de entrega en temporada alta: un mes Tiempo de entrega fuera de temporada: dentro de los 15 d |
| Condiciones de pago: | LC, T/T, PayPal |
| Capacidad de la fuente: | 10000000000 piezas/año |
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Información detallada |
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| Modelo no.: | Las demás partidas | Intensidad luminosa: | No hay luminancia |
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| El color: | No hay luminancia | Estructura: | Planar |
| El material: | el silicio | Paquete de transporte: | El tubo |
| Especificación: | El poder | Marca registrada: | JF, JH. |
| Origen: | China. | Código del SH: | 85411000 |
| Capacidad de la fuente: | 10000000000 piezas/año | Tamaño del paquete: | 20.00cm * 40.00cm * 15.00cm |
| Peso bruto del paquete: | 8.000kg | ||
Descripción de producto
Diodo escocés de carburo de silicio
Componente electrónico
El número de la parte: SC0265/SC0465/SC0665/SC0865/SC1065/SC1265/SC1565/SC1665/SC2065 El número de la parte: SC0265/SC0465/SC0665/SC0865/SC1065/SC1265/SC1565/SC1665/SC2065 El número de la parte es el siguiente:
Parámetro principal: SIC DIODE
| El tipo | El VRRM | Si | IR25oC) | IR ((175oC) | VF(25oC) | VF ((175)oC) | Tj | Esquema |
| V. | A. No | MPa | MPa | V. | V. | oC | ||
| Las demás partidas | 650 | 2 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| Las demás partidas | 650 | 4 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 | |
| Las demás: | 650 | 6 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 | |
| Las demás partidas | 650 | 8 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 | |
| Las demás: | 650 | 10 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 | |
| Las demás partidas | 650 | 12 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 | |
| Las demás partidas | 650 | 15 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 | |
| Las demás: | 650 | 16 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 | |
| Las demás partidas | 650 | 20 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 |
Marca:Logotipo de JF
Envase: Se aplicará el procedimiento siguiente:
El fabricante:Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd. y sus subsidiarias
Descripción:
El Diodo SiC Schottky no tiene pérdida de conmutación, proporciona una mayor eficiencia del sistema frente a los diodos Si mediante la utilización de un nuevo material semiconductor, el Carburo de Silicio, permite una mayor frecuencia de funcionamiento,y ayuda a aumentar la densidad de energía y a reducir el tamaño/costo del sistemaSu alta fiabilidad garantiza un funcionamiento robusto en condiciones de sobretensiones o sobrevolución.
Características:
Temperatura máxima de unión 175°C
Capacidad de corriente de alta corriente
Coeficiente de temperatura positiva
Fácil paralelo
No hay recuperación inversa/no hay recuperación anticipada
Aplicaciones típicas:
Objetivo general
SMPS, inversor solar, UPS
Circuitos de conmutación de energía
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