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SOT-23 Paquete 60V 230mA N-CANAL MOSFET 2N7002K para dispositivos superiores y de silicio
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China. |
| Certificación: | ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 3,000 piezas |
|---|---|
| Precio: | Negotiable |
| Tiempo de entrega: | Tiempo de entrega en temporada alta: un mes Tiempo de entrega fuera de temporada: dentro de los 15 d |
| Condiciones de pago: | LC, T/T, PayPal |
| Capacidad de la fuente: | 10000000000 piezas/año |
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Información detallada |
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| Modelo no.: | 2N7002K | Intensidad luminosa: | No hay luminancia |
|---|---|---|---|
| El color: | No hay luminancia | Estructura: | Canal N |
| El material: | el silicio | VDSS (MAX): | Las demás: |
| Identificador (MAX): | 0.34A | Paquete de transporte: | BOBINA |
| Especificación: | Tipo de SMD | Marca registrada: | JF |
| Origen: | China. | Código del SH: | 85411000 |
| Capacidad de la fuente: | 10000000000 piezas/año | Tamaño del paquete: | 20.00cm * 40.00cm * 15.00cm |
| Peso bruto del paquete: | 8.000kg | ||
Descripción de producto
MOSFET 2N7002K con modo de mejora de canal N
Componente electrónico
Número de la parte: 2N7002K
Parámetro principal:
| El tipo | El canal | V.El DSS(V) (MAX) | Yo...D(A) (MAX) | PD(W) (MAX) | V.GS(V) (MAX) | V.El TH(V) | Rds(En el)(Ω) @ 10V (Tipo) | Rds(En el)(Ω) @4,5V (Tipo) | Rds(En el)(Ω) @2,5 V (Tipo) | Protección ESD para G-S(Y/N) | Esquema |
| 2N7002 | No | 60 | 0.34 | 0.35 | ± 20 | 1.0~2.5 | 1.2 | 1.3 | El SOT-23 | ||
| 2N7002A | No | 60 | 0.34 | 0.35 | ± 30 | 1.0~2.5 | 1.2 | 1.3 | |||
| 2N7002K | No | 60 | 0.34 | 0.35 | ± 20 | 1.0~2.5 | 1.3 | 1.4 | Y |
Marca:JF, el Sr.
Envase:El SOT-23
El fabricante:Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd. y sus subsidiarias
Características:
· elTecnología MOSFET de Trench Power MV
· elInterruptor de pequeña señal controlado por voltaje
· elCapacidad de entrada baja
· elProtección ESD hasta 2.5KV ((HBM)
· elCapacidad de entrada baja
· elProtección ESD hasta 2.5KV ((HBM)
Aplicación:
· elSistemas accionados por batería
· elRelayes de estado sólido
· elInterfaz directa a nivel lógico:TTL/CMOS
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